Sono passati pochi mesi dalla presentazione dello standard LPDDR5X ma siamo già dinnanzi alla sua evoluzione, le memorie RAM di tipo LPDDR5T. E se nel primo caso l’annuncio arrivò da parte di Samsung, questa volta è il turno della rivale ma comunque sud coreana SK Hynix, compiendo così l’ennesimo salto evolutivo nella tecnologie delle memorie mobile.
Passiamo quindi dai 7,5 Gbps delle RAM LPDDR5 agli 8,5 Gbps di quelle LPDDR5X per arrivare ai 9,6 Gbps delle nuovissime memorie di tipo LPDDR5T; non a caso, la “T” di SK Hynix sta per “Turbo”, a simboleggiare le prestazioni maggiorate, il 13% maggiori rispetto alla precedente generazione “X”. Questo tipo di memorie è stato realizzato non soltanto con le performance in mente ma anche con i consumi energetici, operando a bassissima tensione (fra 1,01V e 1,12V) grazie anche al processo produttivo a 10 nm di 4° generazione e alla tecnologia HKMG (High-K Metal Gate) per evitare dispersione di corrente.
Bisognerà attendere i prossimi mesi, probabilmente fine 2023, per assistere al primo smartphone dotato di RAM LPDDR5T: SK Hynix ha fornito ai suoi clienti i primi sample da 16 GB, in grado di elaborare 77 GB di dati in 1 secondo, equivalente al trasferimento di 15 film in 1080p. E come afferma la compagnia produttrice, il prossimo step evolutivo si chiamerà LPDDR6.
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