Intel sfida TSMC e Samsung: roadmap dei nanometri, e c’è di mezzo l’Europa

L’aveva già annunciata negli anni passati, ma in questi giorni Intel ha rimarcato ancora una volta la sua roadmap dei nanometri, utile per capire il progresso evolutivo del colosso statunitense. Intel ha apertamente dichiarato di ambiare a diventare il chipmaker #2 al mondo, in un piano che prevede il suo ingresso sul mercato fab come rivale di TSMC e Samsung. Affinché ciò diventi possibile, sta lavorando per evolvere la sua linea produttiva, e questa roadmap ci aiuta a capire gli obiettivi per i prossimi anni, anche perché c’è di mezzo anche l’Europa.

La corsa ai nanometri ha un nuovo concorrente: si chiama Intel, ed ecco quali sono i suoi piani

C’è una certa ambizione da parte di Intel: raggiungere con successo 5 nodi in 4 anni, un traguardo che nessun chipmaker è mai riuscito a superare nella storia. Partiamo dal presente, con Intel che ha ufficialmente completato la transizione da Intel 7 a Intel 4 e con essa il passaggio dalla stampa litografica DUV a quella EUV che permette una maggiore miniaturizzazione. Se il processo produttivo Intel 7 è stato adoperato per la stampa dei microchip dentro le piattaforme Alder Lake, Raptor Lake e Raptor Lake Refresh, Intel 4 è il nodo dei processori degli ultimi Meteor Lake (le GPU sono invece su nodo TSMC N3).

Attenzione ai nomi, perché potrebbero trarvi in inganno: rispetto a TSMC e Samsung, Intel usa una denominazione differente. Intel 7 (precedentemente chiamato Intel 10nm Enhanced SuperFin) indica il nodo produttivo a 10 nm, ma il “7” deriva dal fatto che la densità dei transistor è simile a quella dei 7 nm di TSMC e Samsung; idem per Intel 4, chip a 5 nm ma con densità simile ai 4 nm delle rivali. A tal proposito, trovate un articolo dedicate alle bugie dei nanometri.

Questa differenza di denominazione si perderà con i nodi successivi, in arrivo durante il prossimo anno. A parte la fine del 2023, che segna l’inizio della manifattura Intel 3 (dedicato perlopiù a prodotti enterprise e non consumer), nel corso del 2024 arriveranno i nodi Intel 20A e 18A, rispettivamente a 2 e 1,8 nm, dove la “A” sta per “Ångström”, unità di misura ancora più piccola dei nanometri (1 Ångström è pari a 0,1 nm).

Il debutto del nodo Intel 20A avverrà con la piattaforma Arrow Lake, segnando anche il debutto di PowerVia e RibbonFET (il nome che Intel dà ai transistor GAAFET di nuova generazione), le due tecnologie che permetteranno a Intel di miniaturizzare così tanto i suoi chip. Nella seconda metà del 2024 sarà il turno di Intel 18A, che arriverà prima del previsto ma facendo a meno della prossima litografia High-NA EUV, che ASML inizierà a fornire non prima del 2025.

Sappiamo che, in virtù anche del Chips Act, Intel sta investendo molto in Europa, come dimostra l’apertura del mega-impianto tedesco per la produzione di microchip avanzati nonché del primo impianto in Polonia; anche l’Italia sarebbe dovuta essere coinvolta in questa espansione europea, ma per il momento non c’è nulla di certo. Di certo c’è che l’Europa sarà un tassello per questa evoluzione nanometrica, dato che l’azienda inizierà a produrre il nodo Intel 4 nell’impianto Fab 34 di Leixlip, in Irlanda. Per quanto non sia il nodo più avanzato del settore, sarà la prima volta che un nodo EUV sarà prodotto in Europa, dato che finora erano usciti solamente dagli impianti statunitensi e asiatici.

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